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DMP6185SE-13  与  BSP613P H6327  区别

型号 DMP6185SE-13 BSP613P H6327
唯样编号 A-DMP6185SE-13 A-BSP613P H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-Ch -60V -2.9A SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@2.2A,10V 130mΩ@2.9A,10V
上升时间 - 9ns
产品特性 车规 车规
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 2.7S
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3A 2.9A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 708pF @ 30V -
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 汽车级,AEC-Q101 BSP613
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 6.7ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP6185SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.2W(Ta) 150mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 3A 车规

暂无价格 0 当前型号
BSP613P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP613PH6327XTSA1_60V 2.9A 130mΩ@2.9A,10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规

暂无价格 1,000 对比
STN3P6F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 0 对比
STN3P6F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 0 对比
STN3P6F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 0 对比
BSP613PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP613P H6327_P 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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